Gailu erdieroale

Wikipedia, Entziklopedia askea
Atalase sorketa. Mosfet-aren operazioa eta bere Id-Vg bihurgunea. Ez bada tentsiorik aplikatzen osagaia itzalita dago; ez dago elektroirik ubidean. Tentsioa transistorearen atean igotzen den heinean korrontearen dentsitatea handituz doa eta osagaia piztuko da.

Gailu erdieroaleak osagai elektronikoak dira. Oinarria, material erdieroaleek dituzten ezaugarrietan datza. Eroaletasun balio ertainak dituzte, ez dira isolatzaile, ez eroale onak. Oso erabilgarriak dira beraien portaera alda daitekeelako <<erraz>> ezpurutasunen bitartez, eta horri dopazioa deritzo. Batez ere, hauek erabiltzen dira: silizioa, germanioa eta galio arseniuroa. Material erdieroaleen eroankortasuna mendera daiteke eremu elektriko edo eremu magnetiko bat txertatuz, argi edo beroaren menpe jarriz, edota deformazio mekanikoarekin; hau guztia dela eta, gailu erdieroaleak sentsore paregabeak dira.[1]

Gaur egun[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Gaur egungo elektronika eta informatika ezin izango ziren lortu gailu erdieroalerik gabe. Diodoak eta batez ere transistoreak erabiltzen dira. Non, azken horiek elektronikaren garuntzat jo dezakegun. Mikroprozesadore guztiak erdieroalez eginda daude; hortaz, gaur egungo teknologiaren atal garrantzitsuena ere, gailu erdieroale bat da, transistore oso txikiak dituena.

Funtzionamendua[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Gailu erdieroaleen funtzionamendua hutsune eta elektroien mugimenduan oinarritzen da. Aipatu den moduan ezpurutasunen bitartez dopatu egin daiteke materiala: elektroientzako hutsune gehiago dituen material mota bat sortuz, <<p mota>> (p positibotik dator, elektroi gutxiago baititu) eta elektroi kopuru handiago izateko <<n mota>> (noski, n negatiboagoa dela erreferentziatzen du). Honela portaera asimetriko bat izango du edozein gailu erdieroalek. p-n lotura batek diodoa osatzen du, eta p-n-p edo n-p-n transistorea. Jokaera hau, korronte eta tentsio jakin menpe gertatzen da, eta portaera hau aprobetxatuz lortzen da zirkuitu elektronikoen funtzionamendu konplexua.

Historia[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Lehengo aldiz erdieroaleez hitz egin zuena Alessandro Volta izan zen, 1782an.

Hala ere, Michael Faraday heldu arte, 1833ean, ez ziren hauen ezaugarriak aztertu. Faraday konturatu zen zilar sulfuroaren erresistentzia elektrikoa jaitsi egin zela tenperaturarekin batera.

Geroago, Karl Braun-ek lehenengo diodoa sortu zuen 1874an; nola korronteak noranzko bakarrean ibiltzen zela ikertu zuen, burdin eta galena ikutzen ziren puntutikan.

1901ean patentatu zen lehen osagai erdieroalea "katu biboteak" Jagadis Chandra Bose-k sortua. Artezgailu erdieroale hau irrati-uhinak antzemateko sortua izan zen.

John Bardeen, Walter Brattain eta William Shockley asmatu zuten transistorea 1947an eta Nobel saria jaso zuten, honek etorkizunean izango zuen garrantzia aurreikusiz.

Erreferentziak[aldatu | aldatu iturburu kodea]

  1. (Ingelesez) Golio, Mike; Golio, Janet. (2018-10-03). RF and Microwave Passive and Active Technologies. CRC Press ISBN 978-1-4200-0672-8. Noiz kontsultatua: 2020-12-18.

Kanpo estekak[aldatu | aldatu iturburu kodea]