Silizioa isolatzailearen gainean

Wikipedia, Entziklopedia askea
Jump to navigation Jump to search

Silizioa isolatzailearen gainean (ingelesez: Silicon on insulator edo SOI) mikroelektronikan erdieroaleak fabrikatzeko erabiltzen den teknologietako bat da. Geruzaz antolatutako silizio–isolatzaile–silizio substratuen erabileran datza, era horretan gailuaren kapazitate parasitoa murrizteko eta ondorioz, gailuaren funtzionamendua hobetzeko.

SOI teknologian oinarritutako gailuetan, ohiko silizio substratudun gailuetan ez bezala, siliziozko juntura isolatzaile elektrikoaren gainean dago. Silizio dioxidoa eta zafiroa dira isolatzaile elektrikorik erabilienak. Zafiroa isolatzaile elektrikotzat duen gailu-teknologiari silizioa zafiroaren gainean (ingelesez: Silicon on sapphire edo SOS) deritzo.

Isolatzaile elektrikoaren materiala zirkuituaren erabileraren arabera aukeratzen da. Zafiroa errendimendu handiko irrati-frekuentziako (RF) eta erradiazioarekiko sentikorrak diren zirkuituetan erabiltzen da. Silizio dioxidoa, berriz, mikroelektronikako gailuetan kanal laburreko efektuak gutxiagotzeko erabiltzen da.

Kanpo loturak[aldatu | aldatu iturburu kodea]

  • (Ingelesez) SOI Industry Consortium — Silizioa Isolatzailearen Gainean Oinarritutatako Teknologiaren Industria Partzuergoa