Read Only Memory

Wikipedia, Entziklopedia askea
ROM memoria,txartel nagusi zahar baten BIOSa edukiz

ROM memoria (ingelesezko Read Only Memory akronimoa), ordenagailuetan eta gailu elektronikoetan erabiltzen den biltegiratzeko tresna bat da, informazioa irakurtzeko eta ez idazteko aukera ematen duena.

ROMean gordetako datuak ezin dira aldatu, ez behintzat era azkar edo erraz batean. Memoria mota hau batez ere firmware-a gordetzeko erabiltzen da (programa horrek lotura estua du hardware espezifikoarekin, eta ez da oso ohikoa izaten eguneraketak behar izatea), edo gailuaren funtzionamendurako funtsezkoa den beste eduki baterako, hala nola ordenagailua martxan jarri eta diagnostikoak egiten dituzten programetarako.

Historia[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Osagai diskretuko ROMa[aldatu | aldatu iturburu kodea]

IBMk kondentsadoreen irakurketa soilerako biltegiratzea (capacitor read-only storage, CRO) eta transformadoreen irakurketa soilerako biltegiratzea (transformer read-only storage, TROS) erabili zituen System/360 modelo txikienen, 360/85 modeloaren eta hasierako System/370 modeloen (370/155 eta 370/165) mikrokodea gordetzeko. Zenbait modelotan, idazteko moduko kontrol-biltegi (writeable control store, WCS) bat ere bazegoen, diagnostiko gehigarrirako eta emulazio-euskarrirako balio zuena. Apoloren nabigazio-konputagailuak (Apollo Guidance Computer, AGC) nukleo kableatuen memoria (Core rope memory) erabili zuen, kableak nukleo magnetikoen bidez harilkatuz programatua.

Egoera solidoko ROMa[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Egoera solidoan dagoen ROM motarik sinpleena teknologia erdieroalea bezain zaharra da. Ate logiko konbinazionalak eskuz elkartu daitezke, n bit-eko sarrera-helbide bat m bit-eko irteera-datuen balio arbitrarioei esleitzeko (kontsulta-taula bat). Zirkuitu integratuak asmatzearekin batera, ROM maskara garatu zen. ROM maskara hitz-lerroen (helbideen sarrera) eta bit-lerroen (datuen irteera) sare bat da, zeinak transistoreen etengailuekin selektiboki elkartuta dauden. Maskara honek, kontsulta-taula arbitrario bat adieraz dezake, antolamendu fisiko erregularrar eta hedapen-atzerapen aurreikusgarri batekin.

ROM maskaran, datuak fisikoki kodetuta daude zirkuituan, eta, beraz, fabrikazioan bakarrik programatu daitezke. Horrek desabantaila batzuk dakartza berekin:

  • ROM maskarak kopuru handietan erostea bakarrik da merkea, erabiltzaileek galdategi bat kontratatu behar baitute neurrira egindako diseinu bat ekoizteko.
  • Maskararen diseinua osatu eta azken emaitza jaso bitartean denbora asko igarotzen da.
  • I+G-rako ez dira praktikoak, garatzaileek memoriaren edukia aldatu behar baitute diseinu bat fintzen duten bitartean.
  • Produktu batek akats bat badu maskaran, konpontzeko modu bakarra ROMa beste berri batez ordezkatzea da.

Ondorengo garapenek konpondu dituzte gabezia horiek. Irakurketa soilerako memoria programagarriak (Programmable Read Only Memory, PROM), Wen Tsing Chow-k 1956an asmatuak,[1][2] aukera ematen zien erabiltzaileei edukia programatzeko tentsio handiko pultsuak aplikatuz egitura fisikoki aldatuta. Horrela, 1. eta 2. arazoak konpontzen ziren, enpresa batek PROM txip berrien sorta handi bat eska zezakeelako eta diseinatzaileen komenentziara nahi zuen edukiarekin programatu zitzakeelako. Hori bai, PROM hauek behin bakarrik programa zitezkeen.

1959an Bell Laborategietan asmatutako metal oxido erdieroalezko eremu-efektuko transistorearen (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, MOSFET) agerpenak, [3] metal oxido erdieroalezko trantsistoreen (metal–oxide–semiconductor, MOS) erabilera praktikoa ahalbidetu zuen. Hauek erdieroaleen memorian memoria gelaxkak biltegiratzeko balio zuten, lehen nukleo magnetikoek ordenagailuen memorian betetzen zuten funtzioa betetzeko alegia [4]. 1967an, Bell Laborategietako Dawon Kahng-ek eta Simon Sze-k MOS gailu erdieroale baten ate flotatzailea ROM memoria birprogramagarri baten zelularako erabil zitekeela proposatu zuten. Horren ondorioz, Intel-eko Dov Frohman-ek irakurketa soilerako memoria programagarri eta ezabagarria (Erasable Progammable Read Only Memory, EPROM) asmatu zuen 1971n [5]. Asmakuntza honek funtsean 3. arazoa konpondu zuen; izan ere, EPROM memoriak (PROM memoriak ez bezala) behin eta berriz berrezarri daitezke programatu gabeko egoerara, argi ultramore handi baten eraginpean jarriz.

1972an Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi eta Kiyoko Naga-k Laborategi Elektroteknikoan garatutako irakurketa soilerako memoria elektrikoki ezabagarri eta programagarriak (Electrically-Erasable Progammable Read Only, EEPROM) [6] neurri handi batean 4. arazoa konpontzen lagundu zuen. Izan ere, EEPROM bat gailuan bertan programatu daiteke, baldin eta daukan gailuak programaren edukia kanpoko iturri batetik jasotzeko bitarteko bat baldin badu (adibidez, ordenagailu pertsonal batek serieko kable baten bidez jaso dezake). Fujio Masuoka-k 1980ko hamarkadaren hasieran Toshiba-n asmatutako eta hamarkada horren amaieran merkaturatutako flash memoria txiparen eremua oso modu eraginkorrean erabiltzen duen EEPROM forma bat da. Memoria hau milaka aldiz ezabatu eta birprogramatu daiteke kalterik jasan gabe. Gailuaren zati zehatz bat bakarrik ezabatu eta programatzeko aukera ematen du, gailu osoaren ordez. Hau abiadura handian egin daiteke, hortik dator "flash" izena [7][8].

Teknologia hauek guztiek ROMaren malgutasuna hobetu zuten, baina txip bakoitzeko kostu handi batekin. Eta, beraz, ROM maskarak kopuru handietan erostea merkeagoa izan zen urte askotan zehar. ROM memoria birprogramagarrien kostua beheratzeak ia erabat ezabatu zuen ROM maskaren merkatua 2000. urtean. Berridatz daitezkeen teknologiak ROM maskararen ordezko gisa sortu ziren.

Garapen berriena NAND flasha da, hau ere Toshiban asmatua. Diseinatzaileek esplizituki hautsi zituzten iraganeko praktikak, argi eta garbi adieraziz "NAND flasharen helburua disko gogorrak ordezkatzea" zela [9]. 2021etik aurrera, NANDek ia erabat lortu du helburu hori, disko gogorrek baino errendimendu handiagoa, latentzia txikiagoa, kolpe fisikoekiko tolerantzia handiagoa, muturreko miniaturizazioa (flash USB unitateak eta microSD memoria-txartel ñimiñoak, adibidez) eta energia-kontsumo askoz txikiagoa eskaintzen baititu.

Programak biltegiratzeko erabilera[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Biltegiratutako programak gordetzen dituzten ordenagailu askok biltegiratze modu ez-lurrunkorra erabiltzen dute (hau da, energia kentzen denean datuak mantentzen dituen biltegiratzea). Honek, ordenagailua pizten denean edo beste modu batean exekutatzen hasten denean exekutatzen den hasierako programa biltegiratzeko balio du (bootstrapping bezala ezagutzen den prozesu bat, askotan "booting" edo "booting up" bezala laburtua). Era berean, ordenagailu orok memoria aldagarriren bat behar du exekutatzen den bitartean bere egoeran izandako aldaketak erregistratzeko.

1948. urtearen ondoren, irakurketa soilerako memoria-formak erabili ziren biltegiratze ez-lurrunkor gisa biltegiratutako programak gordetzen zituzten lehen ordenagailu gehienetan, hala nola ENIACen. Ordura arte ez ziren programak biltegiratzen ordenagailuetan, programa bakoitza eskuz kableatu behar baitzen makinan, eta horrek egunak eta asteak eraman baitzitzakeen. Irakurketa soilerako memoria inplementatzeko errazagoa zen, biltegiratutako balioak irakurtzeko (eta ez idazteko) mekanismo bat bakarrik behar baitzuen. Beraz, gailu elektromekaniko oso errudimentarioekin inplementatu zitekeen. 1960ko hamarkadan zirkuitu integratuak iritsi zirenean, bai ROMa eta baita haren homologo aldagarria ere (RAM estatikoa, SRAM), transistoreen matrize gisa inplementatu ziren siliziozko txipetan. Hala ere, ROM memoria-zelula bat eraikitzeko SRAM memoria-zelula bat eraikitzeko baino transistore gutxiago erabili behar zien. Azken horrek latch bat behar baitzuen (5-20 transistorez osatua) edukia mantentzeko, eta ROM zelula bat berriz, hitz lerro batekin bit-lerro bat konektatuko lukeen transistore baten gabezia (0 logikoa) edo presentzia (1 logikoa) izan baitzitekeen [10].

1980ko hamarkadako etxeko ordenagailu gehienek BASICen interprete bat edo sistema eragile bat gordetzen zuten ROMean, beste biltegiratze ez-lurrunkor batzuk, hala nola disko magnetikoko unitateak, garestiegiak baitziren. Adibidez, Commodore 64-ak RAMeko 64 KB eta ROMeko 20 KB zituen, BASICeko interprete bat eta KERNAL sistema eragilea gordetzen zuena. Ondorengo etxe- edo bulego-ordenagailuek, hala nola IBM PC XT-k, disko magnetikoko unitateak eta RAM memoria handiagoak izaten zituzten. Horrek, sistema eragileak diskotik RAM memoriara kargatu ahal izatea ahalbidetzen zuen, eta gutxieneko hardwarea abiarazteko nukleo bat eta arranke-kargagailu bat baino ez ziren geratzen ROM memorian (IBMrekin bateragarriak diren ordenagailuetan BIOS esaten zaie). Xedapen horrek sistema eragile konplexuagoa eta erraz eguneratzeko modukoa ahalbidetzen zuen.

Gaur egungo ordenagailuetan, ROM delakoa prozesadorea abiarazteko oinarrizko firmwarea biltegiratzeko erabiltzen da, bai eta sistemaren gailu autonomoak (txartel grafikoak, disko gogorrak, egoera solidoko unitateak, disko optikoko unitateak, TFT pantailak, etab.) barrutik kontrolatzeko beharrezkoak diren firmware ezberdinak biltegiratzeko ere. Gaur egun, irakurketa soilerako memoria horietako asko (bereziki BIOS/UEFI) EEPROM edo flash memoriekin ordezkatu ohi dira, firmwarea eguneratzeko beharra sortuz gero gailuan bertan birprogramatzea ahalbidetzeko. Hala ere, azpisistema sinple eta helduek (adibidez, teklatua edo komunikazio-kontrolagailu batzuk oinarrizko plakaren zirkuitu integratuetan, adibidez) ROM maskara edo OTP (behin bakarrik programagarria) erabil dezakete.

ROM eta honen ondorengo teknologiak, flash esaterako, ohikoak dira sistema txertatuetan. Mota guztietako gailuetan daude, hala nola robot industrialetan, etxetresna elektrikoetan eta kontsumorako gailu elektronikoetan (MP3 erreproduktoreak, dekodifikatzaileak, etab.), guztiak funtzio espezifikoetarako diseinatuta, baina helburu orokorreko mikroprozesadoreetan oinarrituta. Softwarea hardwareari estuki lotuta egoten denez, oso gutxitan aldatu behar izaten dira gailu horietako programak. 2008tik aurrera, produktu gehienek Flash memoria erabiltzen dute ROM maskararen ordez, eta askok PC batera konektatzeko baliabideren bat ematen dute firmwarea eguneratzeko; adibidez, audio-erreproduzitzaile digital bat eguneratu daiteke fitxategi-formatu berri bati eusteko. Afizionatu batzuk malgutasun hori baliatu dute kontsumorako produktuak helburu berriekin birprogramatzeko; adibidez, iPodLinux eta OpenWrt proiektuek Linux banaketa osoak egiteko aukera eman diete erabiltzaileei MP3 eta haririk gabeko router-etan, hurrenez hurren.

ROMa datu kriptografikoen biltegiratze bitarrerako ere baliagarria da, zaila baita ordezkatzea. Hori desiragarria izan daiteke informazioaren segurtasuna hobetzeko.

Datuak biltegiratzeko erabilera[aldatu | aldatu iturburu kodea]

ROMa ezin denez aldatu (gutxienez kable gogorreko maskara moduan), gailuaren bizitzan aldatu behar ez diren datuak gordetzeko bakarrik da egokia. Horretarako, ROMa ordenagailu askotan erabili da funtzio matematikoak eta logikoak ebaluatzeko bilaketa-taulak gordetzeko (adibidez, puntu flotatzaileko unitate batek sinuaren funtzioa tabulatu lezake, kalkulua azkarrago egiteko). Hau bereziki eraginkorra izan zen CPUak motelak zirenean eta ROMa merkea zenean RAMarekin alderatuta.

Zehazki, lehen ordenagailu pertsonalen pantaila-egokigailuek iturrien karaktere-taulak gordetzen zituzten bit-mapan ROMean. Horrek, normalean esan nahi zuen testua bistaratzeko iturria ezin zela modu interaktiboan aldatu. Hori zen XT PC IBMarekin eskuragarri zeuden CGA eta MDA egokigailuen kasua.

Datu kopuru hain txikiak gordetzeko ROMaren erabilera ia erabat desagertu da helburu orokorreko gaur egungo ordenagailuetan. Hala ere, NAND Flash-ek paper berri bat hartu du fitxategien biltegiratze masibo edo sekundarioa egiteko.

Motak[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Lehen EPROMa, Intel 1702 bat, matrizea eta kable-loturak bistan dituena.

Fabrika-programatua[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Maskara ROMa irakurketa hutseko memoria bat da, eta zirkuitu integratuaren fabrikatzaileak (eta ez erabiltzaileak) programatzen du haren edukia. Memoriaren eduki desiratua bezeroak gailuaren fabrikatzaileari ematen dio. Nahi diren datuak maskara pertsonalizatuko geruza bihurtzen dira, memoria-txipeko interkonexioen azken metalizaziorako (hortik dator izena).

Ohikoa da berridatz daiztezkeen memoria ez-hegazkorrak erabiltzea (UV-EPROM edo EEPROM, adibidez) proiektu baten garapen-faserako, eta maskarako ROMera pasatzea kodea amaitzean. Adibidez, Atmel mikrokontrolagailuak EEPROM formatuan eta maskara ROM formatuan daude.

Maskarazko ROMaren abantaila nagusia kostua da. Bit bakoitzeko, maskarazko ROMa beste edozein memoria erdieroale baino trinkoagoa da. Zirkuitu integratu baten kostua, neurri handi batean, bere tamainaren araberakoa denez, maskararen ROMa beste edozein eratako erdieroaleen memoria baino askoz merkeagoa da.

Hala ere, maskara jartzearen prozesuaren kostua handia da eta diseinu-fasetik produktu-fasera igarotzen den denbora luzea da. Diseinu erroreak garestiak dira: datuetan edo kodean errore bat aurkitzen bada, maskarazko ROMa alferrikakoa da eta aldatu egin behar da kodea edo datuak aldatu.[11]

2003an, lau enpresa hauek ekoizten zituzten maskarazko ROM txip gehienak: Samsung Electronics, NEC Corporation, Oki Electric Industry eta Macronix.[12]

Zirkuitu integratu batzuk maskara ROMak baino ez dituzte. Beste zirkuitu integratu batzuk maskarako ROMaz gain, beste gailu batzuk dituzte. Zehazki, mikroprozesadore askok maskara ROMa dute mikrokodea gordetzeko. Honetaz gain, mikrokontrolagailu batzuk maskara ROMa dute sistemaren kargatzaile edo bere firmware osoa gordetzeko.

Maskararekin programatutako ROMetako txip klasikoak zirkuitu integratuak dira, biltegiratu beharreko datuak fisikoki kodetzen dituztenak; beraz, ezinezkoa da edukia aldatzea fabrikazioaren ondoren.

Erdieroaleetan oinarritutakoa[aldatu | aldatu iturburu kodea]

  • Soilik irakurtzeko memoria programagarria (PROM), edo behin bakarrik programagarria den ROM (OTP), ROM programatzaile izeneko gailu berezi baten bidez idatzi edo programatu daiteke. Normalean, gailu honek tentsio handia erabiltzen du txip barruan barne-loturak (fusibleak edo antifusibleak) suntsitzeko edo sortzeko. Ondorioz, PROM bat behin bakarrik programatu daiteke.
  • Soilik irakurtzeko memoria programagarriak (EPROM) argi ultramore bizi baten eraginpean jarriz ezaba daitezke (normalean 10 minutuz edo gehiagoz), eta gero berriz idatzi ohikoa baino tentsio handiagoa aplikatzea eskatzen duen prozesu batekin. Argi ultramorearekiko esposizio errepikatuak EPROMa higatzen du, baina EPROM txip gehienen erresistentziak ezabaketa eta birprogramazioko 1000 ziklo jasateko gai dira. Programazioaren ondoren, leihoa (honek UV argia sartzea ahalbidetzen du) etiketa batekin estali ohi da, ustekabeko ezabaketa saihesteko. EPROM txip batzuk fabrikan ezabatzen dira paketatu aurretik, eta ez dute inolako leihorik; horiek PROM dira.
  • Informatikoki soilik irakur daitekeen eta ezaba daitekeen memoria (EEPROM) EPROMren antzeko erdieroale-egitura batean oinarritzen da, baina haren eduki osoa (edo hautatutako bankuak) informatikoki ezabatzeko eta gero informatikoki berridazteko aukera ematen du; horrela, ez dira ordenagailutik kendu behar (edo kamera batetik, MP3 erreproduzigailutik, etab.). EEPROM bat idaztea edo flasheatzea askoz motelagoa da (bit bakoitzeko milisegundoak) ROM batetik irakurtzea edo RAM batean idaztea baino (nanosegundoak bi kasuetan). EEPROM mota desberdinak daude:
    • Elektrikoki aldagarria den irakurketa-memoria (EAROM) EEPROM mota bat da, eta aldi bakoitzean bit bat alda daiteke. Idazketa oso prozesu motela da, eta berriz ere irakurtzeko behar dena baino tentsio altuagoa behar du (normalean 12 V-koa). EAROMak berridazketa ezohikoa eta soilik partziala behar duten aplikazioetarako pentsatuta daude. EAROM biltegiratze ez-lurrunkor gisa erabil daiteke sistema kritikoaren konfigurazioari buruzko informazioa lortzeko; aplikazio askotan, EEAROMen ordez RAM CMOS erabili da, sare elektrikoak elikatuta eta litiozko bateria batek babestuta.
    • Flash memoria (edo flash, besterik gabe) 1984an asmatutako EEPROM mota moderno bat da. Flash memoria EEPROM arrunta baino azkarrago ezabatu eta berridatzi daiteke, eta diseinu berrienek oso erresistentzia handia dute (1.000.000 ziklotik gorakoa). Flash NAND memoria modernoak siliziozko txiparen eremua eraginkortasunez erabiltzen du. Horren ondorioz, banakako zirkuitu integratuak sortu dira, 2007tik aurrera 32 GB-rainoko edukierarekin; ezaugarri horrek, bere erresistentzia eta iraunkortasun fisikoarekin batera, flash NAND memoriak zenbait aplikaziotan (flash USB unitateetan, esaterako) magnetika ordezkatzea ahalbidetu du. NOR motako flash memoria batzuetan flash ROM edo flash EEPROM deitzen da ROM mota zaharragoak ordezkatzeko erabiltzen denean, baina ez azkar eta maiz aldatzeko gaitasuna aprobetxatzen duten aplikazioetan.

Beste teknologia batzuk[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Badira egoera solidoko CI teknologian oinarritzen ez diren beste memoria ez-lurrunkor batzuk, hala nola:

  • Biltegiratze optikorako bitartekoa, CD-ROMa adibidez, irakurketa hutsekoa dena (ROM mozorrotuaren antzekoa). CD-Ra idazketa bakarrekoa eta irakurketa anitzekoa da (Write Once Read Many) (PROMen antzekoa), eta CD-RWak, berriz, ezabaketa eta berridazketa zikloak onartzen ditu (EEPROMen antzekoa); biak CD-ROMarekin bateragarriak izateko diseinatuta daude.
Transformer matrix ROM (TRO
  • ROM diodoen matrizea, kopuru txikietan erabilia ordenagailu askotan 1960ko hamarkadan, baita mahaigaineko kalkulagailu elektronikoetan eta terminaletarako teklatu-kodifikatzaileetan ere. ROM hori diodo erdieroale diskretuak instalatuz programatzen zen, zirkuitu inprimatuko plaka batean, hitz-lerroen trazuen eta bit-lerroen trazuen matrize baten artean hautatutako lekuetan.
  • Erresistentzien, kondentsadoreen edo transformadoreen matrize-rom bat, ordenagailu askotan erabilia 1970eko hamarkadara arte. Diodoen matrize-rom bat bezala, hitz-lerroen eta bit-lerroen matrize baten artean hautatutako lekuetan osagaiak jarriz programatzen zen. ENIACen funtzio-taulak erresistentzien matrize-ROMak ziren, eskuz doitutako etengailu birakarien bidez programatuak. IBM System/360 delakoaren eta gailu periferiko konplexuen zenbait modelok mikrokodea kondentsadoreen ROM matrize batean gordetzen zuten (BCROS izenekoa, 360/50 eta 360/65 zenbakietan kondentsadore orekatuen irakurketa soilik biltegiratzeko, edo CCROS, 360/30 zenbakietan txartel-kondentsadoreen irakurketa soilik biltegiratzeko) edo transformadoreen matrize batean (TROS esaten zaio, 360/20, 360/40 eta beste batzuetan transformadoreak soilik irakurtzeko).
  • Core rope, tamaina eta pisua kritikoak zirenean erabiltzen zen transformadoreen ROM matrize teknologia mota bat DA. NASA/MITen Apolo espazio-ontziaren ordenagailuetan, DECen PDP-8 ordenagailuetan, Hewlett-Packarden 9100A kalkulagailuan eta beste leku batzuetan erabili zen. ROM mota hau eskuz programatzen zen "hitz-lerroko kableak" ehunduz ferrita transformadoreen nukleoen barruan edo kanpoan.

Abiadura[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Irakurketa[aldatu | aldatu iturburu kodea]

RAMen abiadura erlatiboa ROMekiko denborarekin aldatu bada ere, 2007tik aurrera RAM txip handiak ROM gehienak baino azkarrago irakur daitezke. Hori dela eta (eta sarbide uniformea ahalbidetzeko), ROMaren edukia batzuetan RAMean kopiatzen da edo lehen aldiz erabili aurretik esekitzen da, eta gero RAMetik irakurtzen da.

Idazketa[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Elektrikoki alda daitezkeen ROM moten kasuan, idazketa-abiadura irakurketa-abiadura baino askoz motelagoa izan da tradizionalki, eta baliteke tentsio handia behar izatea, baita zubi-konektoreen mugimendua idazketa gaitzeko seinaleak bidali ahal izatea eta blokeatzeko/desblokeatzeko komando berezien kodeak ere. NAND Flash modernoak ROM birgrabagarriko edozein teknologiaren idazketa-abiadura handienak lortzen ditu, 10 GB/s arteko abiadurekin. Hori posible izan da kontsumitzaileentzako eta enpresentzako egoera-unitate solidoetan eta gama altuko gailu mugikorretarako flash memoria-produktuetan egindako inbertsioa handitu delako. Maila teknikoan, aurrerapenak honako hauei esker lortu dira: paralelismoa areagotzea, bai kontrolatzailearen diseinuan, bai biltegiratzean, DRAMen irakurketa/idazketa katxe handiak erabiltzea eta bit bat baino gehiago gorde ditzaketen memoria gelaxkak inplementatzea (DLC, TLC eta MLC). Azken ikuspegi horrek akatsetarako joera handiagoa du, baina hori neurri handi batean arindu egin da gainhornikuntzarekin (unitatearen kontrolatzaileak soilik ikus dezakeen produktu batean erreserba-ahalmena sartzea) eta unitatearen firmwarean gero eta sofistikatuagoak diren irakurketa/idazketa algoritmoekin.

Datuen erresistentzia eta atxikipena[aldatu | aldatu iturburu kodea]

EPROM

Elektroiak transistore flotatzaile baten atean isolamendu elektrikoko geruza bat zeharkatzera behartuz idazten direnez, berridatz daitezkeen ROMek idazketa eta ezabaketa ziklo kopuru mugatu bat baino ezin dute jasan isolamendua etengabe kaltetu aurretik. Lehen EPROMetan, hau 1.000 bat idazketa zikloren ondoren gerta zitekeen, eta EEPROM Flash modernoetan, berriz, erresistentzia 1.000.000 ziklo baino handiagoa izan daiteke. Erresistentzia mugatuak, baita bit bakoitzeko kostu handiagoak ere, esan nahi du ez dela oso litekeena Flashen oinarritutako biltegiratzeak disko unitateak erabat ordezkatzea etorkizun hurbilean.

Idazketa-zikloek ez dute mugatzen ROM bat zehatz irakurtzeko moduan egoten den denbora-tartea. EPROM, EAROM, EEPROM eta Flashen datuen atxikipena denboran mugatuta egon daiteke memoria-zelulen transistoreetako ate flotatzaileen karga-ihesa dela eta. EEPROMeko lehen belaunaldiek, 80ko hamarkadaren erdialdean, 5 edo 6 urteko datu-atxikipena izaten zuten. 2020an eskainitako EEPROMen berrikuspen batek erakusten du fabrikatzaileek 100 urteko datu-atxikipena aipatzen dutela. Kontrako inguruneek atxikipen-denbora murriztuko dute (ihesak bizkortu egiten dira tenperatura handiekin edo erradiazioarekin). Maskaratutako ROMak eta fusiblea/antifusiblea duen PROMak ez dute efektu hori jasaten, datuen atxikipena zirkuitu integratuaren iraunkortasun fisikoaren eta ez-elektrikoaren araberakoa baita, nahiz eta fusiblearen gehikuntza bere garaian arazo bat izan sistema batzuetan.[13]

Edukien irudiak[aldatu | aldatu iturburu kodea]

ROM txipen edukia hardware gailu bereziekin eta dagokion kontrol softwarearekin atera daiteke. Praktika hori ohikoa da, adibide nagusi gisa, aspaldiko bideo-kontsoletako kartutxoen edukia irakurtzeko. Beste adibide bat ordenagailu zaharren edo beste gailu batzuen firmware/OS ROMen segurtasun-kopiak egitea da, artxibaketa helburu, kasu askotan jatorrizko txipak PROMak dira eta, beraz, haien bizitza erabilgarria gainditzeko arriskua dute.

Memoriaren iraulketa fitxategiak ROM irudiak bezala ezagutzen dira, eta ROM bikoizketak ekoizteko erabil daitezke, adibidez, kartutxo berriak ekoizteko edo kontsola emuladoreetan jolasteko fitxategi digital gisa. ROM irudia terminoa kontsola-joko gehienak ROM txipak zituzten kartutxoetan banatzen zirenean sortu zen, baina hain erabilera hedatua izan zuen, gaur egungo CD-ROM edo beste bitarteko optiko batzuetan banatzen diren joko berrienen irudiei aplikatzen jarraitzen baita.

Joko komertzialen, firmwareen eta abarren ROM irudiek egile-eskubideak dituzten softwarea izan ohi dute. Autore-eskubideak dituen softwarea baimenik gabe kopiatzea eta banatzea egile-eskubideei buruzko legeak urratzea da jurisdikzio askotan, nahiz eta babeskopiak egiteko bikoizketa bidezko erabileratzat har daitekeen kokapenaren arabera. Nolanahi ere, komunitate oparo bat dago software mota hori eta bertan behera utzitako beste software batzuk (euskarririk edo eguneratzerik ez dutenak, edota egile-eskubideak ez dutenek aktiboki aplikatuta) banatzen eta merkaturatzen dituena, zaintzeko/partekatzeko helburuarekin.

Denbora lerroa[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Sarrera-data Txiparen izena Ahalmena (bits) ROM mota MOSFET Fabrikatzailea(k) Prozesua Azalera Ref
1976 ? 2 kb EEPROM MOS Toshiba ? ? [14]
1987 ? 4 Mb EPROM CMOS Toshiba 800 nm ? [15]
1965 ? 256-bit ROM Bipolar TTL Sylvania ? ? [16]
1983 ? 64 kb EPROM CMOS Signetics 3,000 nm ? [15]
1970 ? 512-bit PROM Bipolar TTL Radiation ? ? [5]
1977 µCOM-43 (PMOS) 16 kb PROM PMOS NEC ? ? [17]
1978 µCOM-43 (CMOS) 16 kb PROM CMOS NEC ? ? [17]
1984 ? 1 Mb EPROM CMOS NEC 1,200 nm ? [15]
1990 ? 16 Mb EPROM CMOS NEC 600 nm ? [15]
1980 ? 16 kb EEPROM NMOS Motorola 4,000 nm ? [18][15]
1982 ? 32 kb EEPROM MOS Motorola ? ? [15]
1969 3301 1 kb ROM Bipolar Intel ? ? [16]
1971 1702 2 kb EPROM Static MOS (silicon gate) Intel ? 15 mm² [5][19]
1975 2708 8 kb EPROM NMOS (FGMOS) Intel ? ? [18][20]
1977 2716 16 kb EPROM TTL Intel ? ? [21][22]
1978 2732 32 kb EPROM NMOS (HMOS) Intel ? ? [18][23]
1978 2364 64 kb ROM NMOS Intel ? ? [24]
1981 2764 64 kb EPROM NMOS (HMOS II) Intel 3,500 nm ? [15][18][25]
1982 27128 128 kb EPROM NMOS (HMOS II) Intel ? ? [18][15][26]
1983 27256 256 kb EPROM NMOS (HMOS) Intel ? ? [27][18]
1984 27512 512 kb EPROM NMOS (HMOS) Intel ? ? [18][28]
1993 ? 8 Mb MROM CMOS Hyundai ? ? [29]
1995 ? 1 Mb EEPROM CMOS Hitachi ? ? [30]
1965 ? 1 kb ROM MOS General Microelectronics ? ? [16]
1974 ? ? EAROM MNOS General Instrument ? ? [5]
1983 ? 256 kb EPROM CMOS Fujitsu ? ? [31]
1984ko urtarrilean MBM 2764 64 kb EEPROM NMOS Fujitsu ? 528 mm² [32]
1978 EA8316F 16 kb ROM NMOS Electronic Arrays ? 436 mm² [16][33]
1956 ? ? PROM ? Arma ? ? [1][2]
1974 ? 4 kb ROM MOS AMD, General Instrument ? ? [16]
1984 ? 512 kb EPROM NMOS AMD 1,700 nm ? [15]
1995 ? 16 Mb MROM CMOS AKM, Hitachi ? ? [30]

Sailkapena[aldatu | aldatu iturburu kodea]

  • ROM (Read Only MemorY)
  • PROM ( Programable Read Only Memory)
  • EPROM (Erasable Programable Read Only Memory)
  • EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory)
  • Flash memoria

Ikus, gainera[aldatu | aldatu iturburu kodea]

Erreferentziak[aldatu | aldatu iturburu kodea]

  1. ↑ a b (Ingelesez) Huang, Han-Way. (2008-12-05). Embedded System Design with C805. Cengage Learning ISBN 978-1-111-81079-5. (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  2. ↑ a b (Ingelesez) Aufaure, Marie-Aude; Zimányi, Esteban. (2013-01-17). Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures. Springer ISBN 978-3-642-36318-4. (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  3. ↑ «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated | The Silicon Engine | Computer History Museum» www.computerhistory.org (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  4. ↑ «Transistors - an overview | ScienceDirect Topics» www.sciencedirect.com (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  5. ↑ a b c d «1971: Reusable semiconductor ROM introduced | The Storage Engine | Computer History Museum» www.computerhistory.org (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  6. ↑ Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Nagai, K.. (1972-10-01). «Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory» IEEE Journal of Solid-State Circuits 7: 369–375. doi:10.1109/JSSC.1972.1052895. ISSN 0018-9200. (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  7. ↑ (Ingelesez) «NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development - Data Storage - News & Reviews - eWeek.com» eWEEK 2012-04-11 (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  8. ↑ Richter, Detlev. (2013-09-12). «Fundamentals of Non-Volatile Memories» Flash Memories (Springer Netherlands): 5–110. ISBN 978-94-007-6081-3. (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  9. ↑ «Wayback Machine» web.archive.org 2009-10-07 (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  10. ↑ «Appendix: Digital Integrated Circuits and Software» Digital Electronics 2 (John Wiley & Sons, Inc.): 307–308. 2016-09-16 ISBN 978-1-119-32975-6. (Noiz kontsultatua: 2022-10-12).
  11. ↑ Horowitz, Paul. (1989). The art of electronics. (2nd ed. argitaraldia) Cambridge University Press ISBN 0-521-37095-7. PMC 19125711. (Noiz kontsultatua: 2022-10-19).
  12. ↑ (Ingelesez) Oishi, Motoyuki. (uztailaren 2003). Technology Analysis: Oki P2ROM to Replace Mask ROM, Flash EEPROM. Nikkei Electronics Asia.
  13. ↑ «Transparentc.com – Memory Ic» web.archive.org 2016-07-12 (Noiz kontsultatua: 2022-11-03).
  14. ↑ Iizuka, H.; Masuoka, F.; Tai Sato; Ishikawa, M.. (1976-04). «Electrically alterable avalanche-injection-type MOS READ-ONLY memory with stacked-gate structure» IEEE Transactions on Electron Devices 23 (4): 379–387. doi:10.1109/t-ed.1976.18415. ISSN 0018-9383. (Noiz kontsultatua: 2022-10-19).
  15. ↑ a b c d e f g h i (Ingelesez) Memory. STOL (Semiconductor Technology Online) (argitaratze data: 2019ko ekainaren 23a).
  16. ↑ a b c d e Semiconductor read-only-memories (ROMs) offer high density and low cost per bit.. Computer History Museum. (argitaratze data: 2019ko uztailaren 6a).
  17. ↑ a b (Ingelesez) [https://en.wikichip.org/w/images/9/9c/%C2%B5COM-43_SINGLE_CHIP_MICROCOMPUTER_USERS_MANUAL.pdf μCOM-43 SINGLE CHIP MICROCOMPUTER USERS' MANUAL. ] NEC Microcomputers.
  18. ↑ a b c d e f g (Ingelesez) A chronological list of Intel products. The products are sorted by date. Intel museum. Intel Corporation.
  19. ↑ (Ingelesez) 1702A Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 6a.
  20. ↑ (Ingelesez) 2708 Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 6a.
  21. ↑ (Ingelesez) Intel: 35 Years of Innovation (1968–2003). .
  22. ↑ (Ingelesez) 2716: 16K (2K x 8) UV ERASABLE PROM. Intel 2019ko uztailaren 27a.
  23. ↑ (Ingelesez) 2732A Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 6a.
  24. ↑ (Ingelesez) Component Data Catalog. Intel 1978, 1-3 or..
  25. ↑ (Ingelesez) 2764A Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 6a.
  26. ↑ (Ingelesez) 27128A Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 6a.
  27. ↑ (Ingelesez) 27256 Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 2a.
  28. ↑ (Ingelesez) D27512-30 Datasheet. Intel 2019ko uztailaren 2a.
  29. ↑ (Ingelesez) History: 1990s. SK Hynix 2019ko uztailaren 6a.
  30. ↑ a b (Ingelesez) Japanese Company Profiles. Smithsonian Institution.
  31. ↑ (Ingelesez) History of Fujitsu's Semiconductor Business. Fujitsu 2019ko uztailaren 2a.
  32. ↑ (Ingelesez) MBM 2764. Fujitsu 1984ko uztaila.
  33. ↑ (Ingelesez) 1982 CATALOG. NEC Electronics 2019ko ekainaren 20a.

Kanpo estekak[aldatu | aldatu iturburu kodea]

"https://eu.wikipedia.org/w/index.php?title=Read_Only_Memory&oldid=9092304"(e)tik eskuratuta